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涨知识 | 太阳能电池与组件

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涨知识 | 太阳能电池与组件

发布日期:2015-12-15 作者:江苏英富光电科技有限公司 点击:

制作太阳能电池的硅晶体为掺杂3价硼的P型半导体,主要制作流程是:


1. 抛光清洗  

对硅片表面进行化学抛光并进行清洗。我们把朝向太阳的一面称为上表面,把背向太阳的一面称为下表面。


2. 制作绒面 

光滑的硅 晶体薄片表面会反射掉部分太阳光,见图3左图,为了防止对太阳光产生反射,要在薄片上表面用化学腐蚀生成凸凹面,凸凹面好像无数的金字塔排列在一起,使太 阳光尽量射入硅晶体,见图3右图。只是这些金字塔非常细微,高约10μm,可使硅晶体薄片上表面反射大大减少,较全面的吸收太阳光。

3. 扩散制结 

在P型硅晶体薄片的绒面上表面扩散5价的磷,在绒面下生成0.3至0.5μm深的N型半导体,这样,在硅晶体薄片的上表面是N型半导体,在硅晶体薄片的下表面是P型半导体,交界面附近就是PN结,见图4。


4. 刻蚀去边 

为防止上下表面短路,必须把硅晶体薄片周边因制结生成的扩散层去除。同时还要去除在硅片表面因扩散生成的磷硅玻璃与氧化物残迹。



5. 制作减反射膜 

虽有绒面,但仍有经过二次或三次反射出去的太阳光,为进一步减少对光线的反射,还要在上表面沉积一层减反射薄膜,成分主要是和Si3N4(氮化硅)或TiO2(氧化钛),生成蓝色透明薄膜,膜厚为75nm至80nm,

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